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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導(dǎo)體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢(shì)壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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非線性區(qū)域：

中電場(chǎng)區(qū)為非線性區(qū)域，也是壓敏電阻器應(yīng)用中重要的區(qū)域，導(dǎo)電機(jī)理主要是隧道電流及空穴生成降低勢(shì)壘。如只考慮隧道效應(yīng)J = J0exp(-λ/E)，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場(chǎng)強(qiáng)度，算出的a值低于50。

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